事件与实践
2025年下半年，长鑫存储母公司——长鑫科技股份有限公司（以下简称”长鑫科技”）在上海证券交易所科创板启动IPO，市场对其估值预期一度冲向三万亿元人民币区间，有望成为A股史上规模最大的半导体IPO之一。长鑫科技深耕动态随机存取存储器（DRAM）领域，是国内极少数实现DRAM大规模量产的企业，覆盖移动端、消费电子及服务器用存储芯片，客户涵盖国内主流手机厂商和数据中心运营商。此次上市不仅是一次资本盛宴，更被视为中国半导体产业链国产替代进程中的标志性事件。
长鑫科技的崛起并非孤立现象。在国家和地方国资基金的持续注资下，围绕长鑫科技已形成从材料、设计、制造、封测到设备供应链的协同网络：合肥产投、大基金二期等国资平台长期持股，中芯国际、北方华创、拓荆科技等产业链伙伴在设备与工艺端深度配合。这种”国资引导+产业链协同”的模式，使长鑫科技在DRAM这一高度集中、壁垒极高的全球市场中，逐步构建起从技术追赶到规模化量产的能力闭环。上市募集资金的相当比例将投向先进制程研发和产能扩张，进一步强化国产存储芯片的供给安全。
分析
一、从波特五力看DRAM行业的结构性壁垒与企业应对
全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光三家寡头垄断，合计市场份额超过95%，是半导体行业中集中度最高的赛道之一。运用迈克尔·波特的五力模型分析可知：现有竞争者之间形成寡头默契定价格局，新进入者面临数百亿美元级别的资本支出和十年以上的技术积累门槛；上游设备商（如阿斯麦、应材）议价能力极强，下游客户（手机、服务器厂商）虽分散但对价格高度敏感；替代品威胁短期内较低，但新技术路线（如存算一体、新型存储）构成长期潜在威胁。长鑫科技的策略是”错位竞争+渐进突破”：先从利基型DDR4和移动端LPDDR切入，避开最先进的HBM和DDR5主战场，以性价比和供应安全性争取国产客户，再逐步向上突破。这体现了波特所言”在结构性吸引力较低的行业中，通过战略定位重塑竞争规则”的思路。
二、基于波特钻石模型的国家竞争优势与产业链协同
波特的”钻石模型”强调，一国的产业竞争优势源于生产要素、需求条件、相关与支持产业、企业战略与结构四大要素的互动，外加机遇和政府两个变量。长鑫科技案例中，四大要素均有体现：生产要素方面，中国拥有大量半导体工程师和低成本制造基础；需求条件方面，中国是全球最大的存储芯片消费市场，国产替代需求强烈；相关支持产业方面，国内设备、材料、封测企业正在快速成长；企业战略方面，长鑫选择了重资产、长周期的IDM模式。政府的角色尤为关键——大基金、地方国资不仅提供资金，更扮演”产业链组织者”角色，促成上下游协同。这种”政府引导型产业集群”模式在追赶型经济体中具有普遍性，但也需警惕政府干预可能带来的资源配置扭曲和产能过剩风险。
三、资源基础观（RBV）与”国产替代”战略的动态演进
从巴尼的资源基础观（Resource-Based View）看，长鑫科技的核心竞争力在于其积累的DRAM工艺专利组合、量产良率数据和与客户联合验证形成的”关系资本”——这些资源具有价值性、稀缺性、不可完全模仿性和不可替代性（VRIN条件）。然而，”国产替代”作为战略标签，本身具有阶段性：在技术封锁和供应链安全压力下，国产替代是强有力的价值主张；但长远来看，仅靠”替代”难以建立持续竞争优势。长鑫科技的战略逻辑需要从”替代者”向”创新者”演进——即在新兴存储架构（如3D DRAM、存算一体）上争取技术引领，而非仅在成熟制程上追赶。普拉哈拉德与哈默的”核心能力”理论提醒我们：核心能力不是静态的资产存量，而是持续学习和进化的组织能力。长鑫能否在下一代存储技术上建立”先行者优势”，将决定其三万亿估值预期是否具有长期支撑。
启示
长鑫科技的案例揭示了高科技追赶型企业的三条战略原理：第一，在寡头垄断的高壁垒行业中，错位竞争和利基市场切入是后发者的理性选择，盲目正面强攻往往资源耗竭而难以突破；第二，产业链协同与国家竞争优势密不可分，但政府引导必须以市场化能力建设为归宿，否则容易陷入”补贴依赖症”；第三，”国产替代”是阶段性的战略锚点而非终极目标，企业必须在替代的过程中同步构建面向未来的创新能力，才能实现从追赶者到引领者的身份转换。这些原理对所有处于技术追赶期的企业都具有迁移价值。
思考
- 长鑫科技的三万亿估值预期是否包含”国产替代溢价”？如果全球供应链格局缓和，这一溢价是否会迅速消解？
- “国资引导+产业链协同”模式在哪些行业可以复制，在哪些行业可能失效？其适用边界在哪里？
- 对于DRAM这一资本密集、技术迭代极快的行业，后发企业应如何在”追赶成熟制程”与”押注新兴技术”之间分配资源？
关键词：产业整合、国产替代、资源基础观、钻石模型、半导体战略
来源：财新网、第一财经 | 整理：经管讲堂
原文链接：https://www.rcbom.com/stgy/5446.html
